IAUT165N08S5N029ATMA1，英飞凌MOS原装

英飞凌提供广泛的汽车P沟道功率MOSFET产品组合，采用引线封装，采用OptiMOS™ -P2和Gen5技术。
我们的汽车 P 沟道 MOSFET 产品组合提供 30V、40V、55V 和 150V 产品，具有全球低的 RDS（开启）在 40 V 和高电流能力
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPD650P06NMATMA1
IPD65R190C7ATMA1
IPD65R1K4C6ATMA1
IPD65R225C7ATMA1
IPD65R380C6BTMA1
IPD65R380E6ATMA1
IPD65R600E6ATMA1
IPD65R950C6ATMA1
IPD70R600CEAUMA1
IPD70R950CEAUMA1
IPD78CN10NGATMA1
IPD80R1K0CEATMA1
IPD80R1K4P7ATMA1
IPD80R2K0P7ATMA1
IPD80R2K4P7ATMA1
IPD80R2K8CEATMA1
IPD80R450P7ATMA1
IPD80R4K5P7ATMA1
IPD80R900P7ATMA1
IPD900P06NMATMA1
更多型号请联系我们的业务专员，我们将竭诚为你服务！

IPD90R1K2C3ATMA2
功能摘要
低比导通电阻（RDS（开启）*一）
输出电容中的能量存储非常低（E开放源码软件） @400V
低栅极电荷（Qg)
经过现场验证的酷苔质量™
CoolMOS™技术自1998年以来一直由英飞凌制造
优点：
率和功率密度
出色的性价比
高可靠性
易于使用Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPD90R1K2C3ATMA2
IPD95R1K2P7ATMA1
IPD95R2K0P7ATMA1
IPD95R450P7ATMA1
IPD95R750P7ATMA1
IPI051N15N5AKSA1
IPI60R125CPXKSA1
IPI60R190C6XKSA1
IPI60R199CPXKSA1
IPI60R280C6XKSA1
IPI65R600C6XKSA1
IPI70R950CEXKSA1
IPL60R065P7AUMA1
IPL60R085P7AUMA1
IPL60R104C7AUMA1
IPL60R125P7AUMA1
IPL60R180P6AUMA1
IPL60R185C7AUMA1
IPL60R185P7AUMA1
IPL60R199CPAUMA1
IPL60R210P6AUMA1
英飞凌常用MOSFET型号大量现货，欢迎商务联系合作！

汽车场效应管应用
在汽车应用中，MOSFET 用于车身电子、动力总成、底盘和安全、汽车安全、电力驱动排水和信息娱乐系统。
英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPB60R125C6ATMA1
IPB60R280C6ATMA1
IPB60R380C6ATMA1
IPB65R099C6ATMA1
IPB65R225C7ATMA2
IPB720P15LMATMA1
IPC022N03L3X1SA1
IPC100N04S5L-1R1
IPC100N04S5L-1R5
IPC100N04S5L-1R9
我们只做原装，每颗芯片经得起检验！

英飞凌广泛的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑，包括OptiMOS™和StrongIRFET™适用于低、中、高功率应用的技术。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌的™ 光电产品组合提供更高的效率和功率密度，而庞大的产品组合强式红外场效应管™产品提供、坚固的设计以及的性能。通过提供两者OptiMOS™和StrongIRFET™在产品系列中，英飞凌提供节省空间的解决方案不仅优化了热性能，而且在减小尺寸的同时提高了额定电流。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPB0401NM5SATMA1
IPB044N15N5ATMA1
IPB048N15N5ATMA1
IPB049N08N5ATMA1
IPB060N15N5ATMA1
IPB107N20NAATMA1
IPB110P06LMATMA1
IPB19DP10NMATMA1
IPB320P10LMATMA1
IPB330P10NMATMA1
IPB50R140CPATMA1
IPB50R199CPATMA1
IPB60R040C7ATMA1
IPB60R045P7ATMA1
IPB60R060C7ATMA1
IPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C7ATMA1
IPB60R099CPATMA1
IPB60R099P7ATMA1
IPB60R120C7ATMA1
英飞凌大量原装现货，让您合作无忧。

英飞凌 CoolGaN™ 是一种的 GaN （氮化镓）晶体管技术，可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验，英飞凌完善了增强模式方案，并可进行大批量端到端生产。的质量确保的标准，于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能的解决方案。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IAUC100N04S6N022
IAUC100N04S6N028
IAUC100N08S5N043
IAUC100N10S5L040
IAUC100N10S5N040
IAUC120N04S6L008
IAUC120N04S6L009
IAUC120N04S6L012
IAUC120N04S6N009
IAUC120N04S6N010
IAUC120N04S6N013
IAUS165N08S5N029
IAUS180N04S4N015
IAUS200N08S5N023
IAUS240N08S5N019
IAUS300N04S4N007
IAUS300N08S5N012
IAUS300N08S5N014
IAUT150N10S5N035
IAUT200N08S5N023
我司承诺所有产品均为原装，可提供专项发票。

SPB80P06P-G描述：
P 沟道增强模式 场效应晶体管 （FET）， -60V， D2PAK
英飞凌高度创新的OptiMOS™系列包括p沟道功率MOSFET。这些产品始终如一地满足电源系统设计关键规格的和性能要求，例如导通电阻和品质因数特性。
功能摘要：
增强模式
雪崩等级
快速切换
额定分量/分吨
无铅镀铅
符合 RoHS 标准，无卤素
符合 AEC Q101 标准
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
ISC0806NLSATMA1
ISZ0501NLSATMA1
ISZ0602NLSATMA1
ISZ0703NLSATMA1
ISZ0803NLSATMA1
ISZ0804NLSATMA1
SPA06N80C3XKSA1
SPA07N60C3XKSA1
SPA08N50C3XKAS1
SPA08N80C3XKSA1
SPA11N65C3XKSA1
SPA11N80C3XKSA2
SPA17N80C3XKSA1
SPA20N60C3XKSA1
SPA20N65C3XKSA1
SPA21N50C3XKSA1
SPB03N60C3E3045
SPB18P06PGATMA1
SPB21N50C3ATMA1
SPB80P06PGATMA1
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IRL1404ZSTRLPBF
40V 单 N 沟道六通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 D2Pak 封装
优点：
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优化
符合JEDEC标准的产品认证
逻辑电平：针对 10 V 栅极驱动电压进行了优化，能够支持 4.5 V 栅极驱动电压
行业标准表面贴装电源封装
高载流能力封装（高达 195 A，取决于芯片尺寸）
可进行波峰焊
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IRL1404ZSTRLPBF
IRL2203NPBF-INF
IRL2203NSTRLPBF
IRL3705NSTRLPBF
IRL3705ZSTRLPBF
IRL60SC216ARMA1
IRLML2402GTRPBF
IRLML6402GTRPBF
IRLR2905ZTRLPBF
IRLR3110ZTRLPBF
IRLR3110ZTRRPBF
IRLR3410PBF-INF
IRLU8729-701PBF
ISC0602NLSATMA1
ISC0603NLSATMA1
ISC0702NLSATMA1
ISC0703NLSATMA1
ISC0802NLSATMA1
ISC0803NLSATMA1
ISC0804NLSATMA1
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IRF150P220AKMA1
采用 TO-150 封装的 247V 单 N 沟道强红外场效应管™功率 MOSFET
功能特性：
极低的RDS（开启）
出色的栅极电荷 x RDS（开启）（FOM）
优化的 Q 值RR
175°C 工作温度
根据JEDEC标准进行产品验证
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优
降低传导损耗
高开关频率的理想选择
更低的过冲电压
与 150°C 额定部件相比，可靠性更高
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
IRF150P220AKMA1
IRF150P220XKMA1
IRF150P221AKMA1
IRF2807ZSTRLPBF
IRF2907ZSTRLPBF
IRF3205ZSTRLPBF
IRF3709ZSTRRPBF
IRF3710ZSTRLPBF
IRF3805STRL-7PP
IRF40SC240ARMA1
IRF6726MTRPBFTR
IRF9530NSTRLPBF
IRF9530NSTRRPBF
IRF9540NSTRLPBF
IRF9540NSTRRPBF
IRF9Z24NSTRLPBF
IRF9Z34NSTRLPBF
IRFI1010NPBF-IR
IRFI7536GPBF-IR
IRFR1010ZTRLPBF
常用型号大量原装现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IPC100N04S5-2R8
40V， N沟道， 2.8 mΩ 大值， 汽车场效应管， SS08 （5x6）， OptiMOS-5™
功能说明
OptiMOS™ - 用于汽车应用的功率MOSFET
N 通道 - 增强模式 - 正常水平
符合 AEC Q101 标准
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
雪崩测试
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPC100N04S5-2R8
IPC50N04S5L-5R5
IPC70N04S5L-4R2
IPD025N06NATMA1
IPG16N10S4L-61A
IPG20N04S4L-07A
IPG20N04S4L-11A
IPG20N04S4L-18A
IPG20N06S2L-35A
IPG20N06S2L-50A
IPG20N06S2L-65A
IPG20N06S4L-11A
IPG20N06S4L-14A
IPG20N10S4L-22A
IPG20N10S4L-35A
IPI029N06NAKSA1
IPLU300N04S4-R8
IPP029N06NAK5A1
IPP029N06NAKSA1
常用型号大量原装现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！