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STM32F100R4H6B,意法32位微控制器MCU供应商

更新时间:2024-07-02 02:08:18 编号:972msjevl1e75f
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周玉军

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ST意法单片机
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STM32F100R4H6B,意法32位微控制器MCU供应商

主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32L151RCT6功能描述:
低功耗的STM32L151xC和STM32L152xC器件集成了通用串行总线(USB)与ARM的连接能力®皮质®-M3 32位RISC内核,工作频率为32 MHz (33.3 DMIPS),内存保护单元(MPU),高速嵌入式存储器(闪存高达256千字节,RAM高达32千字节),以及连接到两条APB总线的大量增强I/o和外设。
STM32L151xC和STM32L152xC器件提供两个运算放大器、一个12位ADC、两个DAC、两个低功耗比较器、一个通用32位定时器、六个通用16位定时器和两个基本定时器,可用作时基。
此外,STM32L151xC和STM32L152xC器件包含标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个I2S、三个USARTs和一个USB。STM32L151xC和STM32L152xC器件提供多达23个容性检测通道,可为任何应用添加触摸检测功能。
封装:LQFP-64
包装:tape and reel
ST意法单片机其他型号(部分):
STM32F071V8T7
STM32F091VBT7
STM32F098RCH6
STM32F091VCH7
STM32F038K6U6
STM32F042G6U7
STM32F051C4U6
STM32F048C6U6
STM32F042K6U7
STM32F058C8U6
STM32F051R8H6
STM32F058R8H6
STM32F071C8U7
STM32F051R8H7
STM32F058R8H7
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,以信用为基石,诚意合作。

VNH5200ASTR性能特性:
汽车认证
输出电流:8安
3 V CMOS兼容输入
欠压关闭
过压箝位
热关机
交叉传导保护
电流和功率限制
非常低的待机功耗
防止土地流失和VCC流失
电流检测输出与电机电流成比例
输出受到接地短路和V短路保护抄送
包装:生态包®
ST意法单片机MCU其他型号(部分):
STM32F051R6T7
STM32F071V8H6
STM32F071CBU7
STM32F078CBU6
STM32F072V8H6
STM32F071VBH6
STM32F072R8T7
STM32F078VBH6
STM32F098CCU6
STM32F072VBH7
STM32F098VCT6ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,以信用为基石,诚意合作。如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。

STM32F105R8T6特性:
主流互连型ARM Cortex-M3微控制器,具有64 KB闪存、72 MHz CPU、CAN和USB 2.0 OTG
STM32F105xx和STM32F107xx连接系列集成了ARM®皮质®-工作频率为72 MHz的M3 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和64千字节的SRAM),以及连接到两条APB总线的大量增强型I/o和外设。所有器件都提供两个12位ADC、四个通用16位定时器和一个PWM定时器,以及标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个i2s、五个USARTs、一个USB OTG FS和两个can。以太网仅适用于STM32F107xx。
ST意法单片机MCU其他型号(部分):
STM32F050F6P7
STM32F103RBH6
STM32F103VEH6
STM32F101R8T6
STM32F105RCT7
STM32F107RCT7
STM32F103ZDH6
STM32F107VCT7
STM32F103RGT7
STM32F103T8U7
STM32F105VBT6
STM32F107VCH6
STM32F101VGT6
STM32F101VFT6
STM32F101ZCT6ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,以信用为基石,诚意合作。如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。

SCT50N120
碳化硅功率 MOSFET 1200 V、65 A、59 mOhm(典型值 TJ = 150 C),采用 HiP247 封装
所有功能
导通电阻随温度的变化非常小
非常高的工作结温能力(TJ= 200 °C)
非常快速和坚固的本征体二极管
低电容
ST其他部分单片机型号:
STM32F412ZGT6
STM32L496VGT6
STM32F745VET6
STM32H723ZGI6
STM32L4A6VGT6
STM32L496QGI6
STM32F405RGT7
STM32L4A6QGI6
STM32H725AGI6
STM32F207IEH6ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,我们只做原装,欢迎合作!

STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
所有功能:
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数(FoM)
极低的栅极电荷
经过100%雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分单片机MCU型号:
STM32G071C8T6
STM32L031K6T7
STM32L031C6T7
STM32F301K6U6
STM32G071KBT6
STM32G0B0RET6
STM32L052K6U6
STM32G071CBT6
STM32L051K8T6
STM32L071K8U6
STM32L412C8T6
STM32G071GBU3
STM32F301K8U7
STM32G071RBT6
STM32L052C8T6ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

STFH10N60M2
N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220FP宽沿面封装
STFU10N80K5
N沟道800 V、0.470 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP超窄引线封装
这些压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh™ K5 技术设计,该技术基于创新的专有垂直结构。其结果是显著降低导通电阻和低栅极电荷,适用于需要功率密度和率的应用。
ST意法其他部分单片机型号:
STM32G051K6T6
STM32L031F6P7
STM32L031F4P3
STM32L011K4U6
STM32G031C6T6
STM32G031C8U6
STM32L041F6P7
STM32L011K4T6
STM32G031C8T6
STM32G051C8U6
STM32L021K4T6
STM32L010RBT6
STM32G051C8T6
STM32L041K6U6
STM32L031C6T6
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深圳市鑫富立科技有限公司
  • 唐苏军
  • 广东 深圳
  • 有限责任公司(自然人独资)
  • 2018-12-27
  • 人民币1000000万
  • IC集成电路
  • MCU与微处理器,存储芯片与驱动芯片,电源管理与音频功放,数据转换与无线芯片
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