MC33179DR2G，运算放大器ON/安森美原装优势供应商

MM74HC08简述：
MXMM74HC08 AND门采用的硅栅CMOS技术，可实现与LS-TTL门相似的工作速度，并具有标准CMOS集成电路的低功耗。HC08 具有缓冲输出，提供高抗噪性，并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列在功能和引脚排列上与标准 74LS 逻辑系列兼容。所有输入均受到内部二极管箝位的保护，不会因静电放电而损坏至 V抄送和地面。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FCH110N65F-F155
NVH4L060N090SC1
NTH4L070N120M3S
NTH4L045N065SC1
NTH4L014N120M3P
NTH4L060N090SC1
NTH4L022N120M3S
NVH4L045N065SC1
ON/安森美全系只做原装，我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询！

UC2842BD1R2G
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。它们专为离线和DC-DC转换器应用而设计，为设计人员提供了具有极少外部元件的高性价比解决方案。这些集成电路具有用于占空比控制的微调振荡器、温度补偿基准、高增益误差放大器、电流检测比较器和非常适合驱动功率 MOSFET 的高电流图腾柱输出。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FDB075N15A-F085
FDP085N10A-F102
FDI045N10A-F102
FDP020N06B-F102
FDP075N15A-F102
FDP027N08B-F102
FDP023N08B-F102
ON/安森美全系只做原装，我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询！

NTHL027N65S3HF功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET III， FRFET， 650 V， 75 A， 27.4 mΩ， TO-247®®

功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET III， FRFET， 650 V， 75 A， 27.4 mΩ， TO-247®®
SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体全新的高压超结 （SJ） MOSFET 系列，该系列采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这种的技术旨在大限度地降低传导损耗，提供的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适合各种小型化和更率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可以去除额外的组件并提高系统可靠性。
CAT811TTBI-GT3
CAT811 和 CAT812 是微处理器监控电路，用于监控数字系统中的电源。CAT811 和 CAT812 是 MAX811 和 MAX812 的直接替代产品，工作在工业温度范围内;两者都具有手动复位输入。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCV8177BMX330TCG
LP2950CDT-5.0RKG
MC100EL1648DTR2G
LM2575D2T-ADJR4G
LM2575D2T-ADJR4G
NCV891930MW01R2G
ON/安森美全系只做原装，我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询！

FCH085N80-F155功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET II， 800 V， 46 A， 85 mΩ， TO-247
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 （SJ） MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在大限度地降低传导损耗，提供的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD 电视电源、ATX 电源和工业电源应用。®
UC3843BVD1R2G简述：
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
CAT5132ZI-10-GT3
CAT5113VI-01-GT3
ISL9R3060G2-F085
FGB20N60SFD-F085
FGH75T65SQD-F155
ON/安森美全系只做原装，我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询！

MC7905CTG系列简述：
MC7900 固定输出负线性稳压器旨在作为广受欢迎的 MC7800 系列器件的补充。该负电压稳压器提供与 MC7800 器件相同的七种电压选项。此外，负极 MC7900 系列还提供 MECL 系统中常用的一个额外电压选项。
这些线性稳压器提供 -5.0 V 至 -24 V 的固定输出电压选项，采用电流限制、热关断和安全区域补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。通过足够的散热，它们可以提供超过 1.0 A 的输出电流。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NTMTS0D7N06CLTXG
NVMFS5C404NAFT1G
NVMFS6H801NWFT1G
NTMFS4D2N10MDT1G
NVMFS5C420NWFT1G
NTMFS5C410NLTT1G
NTMFS5C410NLTT1G
NTMFS006N12MCT1G
NVMFS6H800NWFT1G
NXH35C120L2C2S1G
ON/安森美全系只做原装，我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询！

NTMFS6H818NT1G单N沟道功率MOSFET，80V，123A，3.7mΩ
汽车功率MOSFET采用5x6mm扁平引线封装，专为紧凑、的设计而设计，并具有高热性能。
NUP4202W1T2G
NUP4202W1浪涌保护器设计用于保护高速数据线免受 ESD、EFT 和雷击的影响。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFS2D3P04M8LT1G
NVMFS5C638NLWFT1G
MT9J003I12STMU-DP
MT9P006I12STCU-DR
AR0140CS2C00SUEA0
AR0833CS3C12SUAA0
ON/安森美全系只做原装，我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询！

FSA2567UMX简述：
模拟开关（DPDT、SPDT、SPST 和其他配置），用作音频、数据和信号的模拟多路复用器和解复用器。
FSA2567是一款双向、低功率、双双极、，针对双SIM卡的双掷（4PDT）模拟开关多路复用。它经过优化，可用于切换WLAN−SIM数据和控制信号，并将一个通道为电源开关。FSA2567兼容SIM卡和具有10 pF的低导通电容（CON），以确保高速数据传输。VSIM开关路径具有低RON特性确保双SIM卡供电路径中的电压降小。FSA2567包含可将电流降至低的特殊电路当施加到SEL引脚的控制电压较低时的消耗而不是电源电压（VCC）。此功能在以下方面特别有价值超便携应用程序，如手机；允许直接与基带处理器的通用I/O接口。其他应用程序包括中的交换和连接器共享便携式手机、掌上电脑、数码相机、打印机和笔记本电脑计算机。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFWD024N06CT1G
NVMFWS016N06CT1G
NVMFWS020N06CT1G
NVMYS003N08LHTWG
NVMYS2D1N04CLTWG
NVMYS4D1N06CLTWG
PCS3P8504AG-08CR
ON/安森美全系只做原装，我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询！

CAT4104V-GT3简述：
CAT4104 提供四个匹配的低漏汲电流，可驱动串联的高亮度 LED，每个沟道可高达 175 mA。LED 沟道电流通过联接 RSET 引脚的外部电阻器进行设置。LED 引脚可兼容高 25 V 的高电压，支持带有多个 LED 串联的应用。EN/PWM 逻辑输入支持器件启用和高频外部脉宽调制 (PWM) 调光控制。该器件结合了高温关断保护，可在片温度超过 150°C 时禁用 LED 输出。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
AR0230CSSC12SUEA0-DR
AR1820HSSC00SHEA0-DR
AR0237CSSC12SPRA0-DR
AR0237CSSC12SHRA0-DR
FCPF250N65S3R0L-F154
ON/安森美全系只做原装，我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询！

ON/安森美全系列产品优势供货，提供产品有：
无线连接
低功耗蓝牙
分立器件和功率模块
MOSFET系列
电源模块
碳化硅（SiC）
所有其他
电源管理
信号调理与控制
传感器
电机控制
定制和特殊替代产品供应商
接口
时序、逻辑和存储器
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCH-RSL15-512-101Q40-ACG
NCH-RSL15-284-101Q40-ACG
LC70310KBG-UMC-TLM-H-ON
AR0135CS2C00SUEA0-DPBR1
AR0135CS2C00SUEA0-DRBR
AR0135CS2C00SUEA0-DPBR
ASX340CS2C00SPED0-DRBR
ON/安森美全系只做原装，我们承诺每一片芯片均来自原厂。