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单晶硅片的生产工艺流程：
1、单晶硅是从大自然丰富的硅原料中提纯制造出多晶硅,再通过区熔或直拉法生产出区熔单晶或直拉单晶硅,进一步形成硅片、抛光片、外延片等，直拉法生长出的单晶硅,用在生产低功率的集成电路元件。而区熔法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件；
2、直拉法加工工艺:加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长,长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出,即完成一次生长周期。悬浮区熔法加工工艺:先从上、下两轴用夹具准确地垂直固定棒状多晶锭。用电子轰击、高频感应或光学聚焦法将一段区域熔化,使液体靠表面张力支持而不坠落。移动样品或加热器使熔区移动。这种方法不用坩埚,能避免坩埚污染,因而可以制备很纯的单晶,也可采用此法进行区熔。

单晶硅片是单晶硅棒经由一系列工艺切割而成的,制备单晶硅的方法有直拉法(CZ 法)、区熔法(FZ 法)和外延法,其中直拉法和区熔法用于制备单晶硅棒材。区熔硅单晶的需求来自于功率半导体器件；单晶硅片来自于单晶硅硅棒切割，硅棒采取类似蓝宝石等单晶材料的生长方式，因此，其原子排列短程有序、长程也有序，单晶硅片回收价格对比，得到的半导体杂质、缺陷相对较少，但相应的成本也更高。

屋顶光伏承重鉴定报告|光伏检测单位--屋面新增光伏系统配重统计：计算宽度按一块配重块的长度为1.64m考虑，配重块作用于1.64m的框架梁上，光伏系统的线荷通过配重块施加于框架梁上。1.64m的框架梁上新增的荷载如下：1恒荷载：组件自重：3*0.19/2/1.64=0.174kN/m支架自重：(5.7*2*3.431.64*2.63)*10/1000/2/1.64=0.073kN/m配重自重：0.2*1.64*0.4*2500*10/1000/1.64=2kN/m屋顶新增光伏系统自重(恒荷载)合计：0.1740.0732=2.247kN/m2屋面施工阶段活荷载：施工阶段，严格控制施工操作人员在屋面的分布及屋面临时堆料的摆放，要求不大于设计文件中要求的关于屋面活荷载的限值。故核算屋面活荷载时，可按原设计文件的活荷载布置考虑。屋面雪荷载：屋面雪荷载可按原设计阶段的取值考虑。屋面风荷载：屋面风荷载可按原设计阶段的取值考虑。地震作用：屋顶光伏系统通过屋顶配重块传递竖向荷载至结构主体，屋顶配重块与屋面不构造连接，采用直接搁置于屋面的方式。家用屋顶光伏电站建设时，如何把握电站承重能力呢?屋顶能承受太阳能电站设备的重量是怎么计算?这是电站设计之初要慎重考虑的问题。下面我们来举例说明：一个3KW的家用屋顶太阳能电站，需要150W的太阳能电池板20块，太阳能电池板的重量为240kg，支架、水泥方砖重量约在210kg，支架占地面积为15平米，以这个标准计算出太阳能电站设备对屋顶的压力为30kg/平米。家用屋顶一般承重都超过30KG，因此，在上面安装光伏板是没有多大问题的。